Khi Qualcomm chính thức công bố Snapdragon X2 Elite Extreme và Snapdragon X2 Elite, giới công nghệ đã ngay lập tức chú ý đến đây là những chipset 3nm đầu tiên của hãng được thiết kế chuyên biệt cho máy tính xách tay nhằm mang lại hiệu năng vô song. Tuy nhiên, một chi tiết quan trọng đã bị bỏ ngỏ trong buổi ra mắt: liệu Qualcomm đang sử dụng quy trình 3nm N3E hay N3P mới hơn của TSMC? Một báo cáo mới đây đã mang đến câu trả lời đầy bất ngờ. Hóa ra, “quái vật” phần cứng Snapdragon X2 Elite Extreme được chế tạo dựa trên quy trình 3nm N3X. Đây là công nghệ in thạch bản được phát triển với mục tiêu tối thượng là hiệu năng đặc biệt, nhưng để đạt được điều đó, Qualcomm đã phải chấp nhận một số sự đánh đổi nhất định về mặt kỹ thuật.
Công nghệ sản xuất 3nm N3X và kiến trúc bộ nhớ tiên tiến
Theo một phân tích chuyên sâu từ Moor Insights & Strategy, Snapdragon X2 Elite Extreme sở hữu những thông số kỹ thuật vô cùng thú vị. Con chip cao cấp nhất này có cấu trúc 18 lõi và có khả năng đạt tốc độ xung nhịp lên tới 5.00GHz trên một hoặc hai lõi. Điểm đặc biệt nằm ở chỗ, vi xử lý (SoC) mới nhất và mạnh mẽ nhất của Qualcomm sử dụng công nghệ Đóng gói Hệ thống (SiP – System-in-Package). Công nghệ này cho phép tích hợp nhiều mạch và linh kiện quan trọng như RAM, bộ nhớ lưu trữ và các bộ phận khác vào thành một gói duy nhất.
Cách tiếp cận này khá tương đồng với kiến trúc bộ nhớ thống nhất (unified RAM) mà Apple đang áp dụng. Việc đặt các chip nhớ nằm sát khuôn CPU giúp đảm bảo băng thông bộ nhớ tăng lên đáng kể. Nhờ đó, biến thể mạnh mẽ nhất của Snapdragon X2 Elite Extreme có thể đạt băng thông bộ nhớ lên tới 228GB/s. Để độc giả dễ hình dung, con số này cao hơn băng thông của chip M5, nhưng vẫn thấp hơn mức 273GB/s của chip M4 Pro.
Về quy trình sản xuất, báo cáo xác nhận rằng Snapdragon X2 Elite Extreme sử dụng nút quy trình 3nm N3X. Đây là lần đầu tiên một chipset thương mại chuyển rời khỏi công nghệ in thạch bản 3nm N3P phổ biến của TSMC. Với quy trình sản xuất điện toán hiệu năng cao này, con chip chứa tới 31 tỷ bóng bán dẫn và mang lại mức tăng hiệu năng khoảng 5% so với quy trình 3nm N3P. Xét ở cấp độ tổng thể, chip X2 Elite Extreme đại diện cho nỗ lực tối đa của Qualcomm trong việc cung cấp hiệu năng tốt nhất cho thế hệ này. Với bus bộ nhớ 192-bit, bộ nhớ 128GB và RAM tốc độ 9523 MT/s, việc nghẽn cổ chai bộ nhớ gần như được giải quyết triệt để.
Hiệu quả năng lượng và so sánh thực tế Snapdragon X2 Elite Extreme với đối thủ
Để tối đa hóa tốc độ xung nhịp và hiệu năng cao hơn, Snapdragon X2 Elite Extreme được thiết kế để hoạt động ở mức điện áp cao hơn 1.0V. Tuy nhiên, quyết định sử dụng quy trình 3nm N3X này đi kèm với cái giá phải trả là mật độ bóng bán dẫn thấp hơn và hiệu quả năng lượng kém hơn so với quy trình 3nm N3P. Thật không may, bất chấp những ưu điểm lý thuyết của N3X, con chip hàng đầu của Qualcomm vẫn tỏ ra chậm hơn so với chip M4 Max của Apple trong các bài kiểm tra đơn nhân và đa nhân trên công cụ Cinebench 2024.
Về mặt tiêu thụ điện năng, Snapdragon X2 Elite Extreme có thể vượt ngưỡng 100W khi hoạt động không bị giới hạn, và duy trì mức 40W trong các khung máy laptop cụ thể. Với mức tiêu thụ năng lượng này, các kết quả hiệu năng thực tế có phần gây thất vọng. Một lĩnh vực khác mà Snapdragon X2 Elite Extreme ghi nhận sự thua thiệt là ở bộ phận xử lý đồ họa (GPU). Trong các bài kiểm tra tổng hợp chuyên sâu về đồ họa như 3DMark Steel Nomad Light Unlimited và 3DMark Solar Bar Unlimited, chip M4 Pro của đối thủ vẫn nhanh hơn tới 45%.
Cho đến nay, có vẻ như việc Qualcomm chuyển sang quy trình 3nm N3X vẫn chưa mang lại những lợi ích to lớn như công ty kỳ vọng. Tuy nhiên, chúng ta mới chỉ được nhìn thấy một vài kết quả điểm chuẩn ban đầu và chúng chưa thể phản ánh toàn bộ sự thật về khả năng của Snapdragon X2 Elite Extreme. Hy vọng rằng trong tương lai gần, sẽ có thêm những kết quả thử nghiệm thú vị khác để chúng ta có cái nhìn toàn diện hơn về canh bạc công nghệ này của Qualcomm.